►
◄
Каталог:
Установки термического напыления
Технология термического напыления покрытий основывается на двух физических процессах - процессе термического испарения исходного материала и процессе конденсации его на подложке.
Технология применяется при нанесении покрытий на оптические устройства, металлизации диэлектрических материалов, полупроводниковой промышленности и других отраслях.
- Установки термического напыления с резистивными испарителями
- Установки электронно-лучевого напыления
- Установки импульсного лазерного напыления (PLD)
- Установки катодно-дугового напыления (Arc-PVD)
Установки термического напыления с резистивными испарителями
В установках термического напыления с резистивными испарителями исходный материал испаряется при нагревании испарителя при протекании электрического тока.
В установку могут быть интегрированы несколько резистивных испарителей, что позволяет формировать покрытия из нескольких слоёв.
Установки электронно-лучевого напыления (E-beam PVD)
В установках электронно-лучевого напыления (E-beam PVD) исходный материал испаряется при воздействии на него мощного электронного пучка.
Преимуществами (E-beam PVD) технологии являются возможность напыления тугоплавких материалов и высокая чистона получаемых покрытий.
Установки импульсного лазерного напыления (PLD)
В установках импульсного лазерного напыления (PLD) исходный материал испаряется при воздействии на него излучения мощного импульсного лазера.
Процесс может происходить в условиях высокого вакуума или в присутствии фонового газа, например, кислорода, который используется при осаждении оксидов.
Установки катодно-дугового напыления (Arc-PVD)
В установках катодно-дугового напыления (Arc-PVD) исходный материал испаряется при протекании тока дуги, возникающей между мишенью, являющейся катодом, и специальным электродом.
Локальная температура в области взаимодействия дуги с мишенью, называемой катодным пятном, может достигать 15000 °C, что приводит к интенсивному испарению атомов мишени и высокой скорости роста плёнки.