Установки гибридного плазменно-химического осаждения (PE-HPCVD) спроектированы на базе трубчатых печей.
Принцип действия установок заключается в переносе в зону нагрева потоком газа атомов реагента, испарившегося в интегрированном в рабочую трубу испарителе, для проведения реакции CVD.
Генератор плазмы используется для активации химической реакции, что позволяет проводить процесс осаждения при более низкой температуре по сравнению с технологией CVD.
Технические характеристики:
| Частота ВЧ источника генератора плазмы (МГц) |
13,56 |
| Мощность ВЧ источника генератора плазмы (Вт) |
500 |
| Максимальная температура рабочей трубы (°C) |
1200 |
| Внешний диаметр кварцевой рабочей трубы (мм) |
50 |
| Обогреваемая длина(мм) |
200+200 |
| Максимальная температура испарителя (°C) |
1300 |
| Число каналов подачи газа |
4 |