Установки осаждения из газовой фазы (CVD) применяются для получения плёнок на подложках, покрытий и материалов при осаждении паров прекурсоров на твёрдое вещество посредством химической реакции.
Технология PECVD позволяет проводить процесс осаждения при более низкой температуре по сравнению с технологией CVD за счёт использования генератора плазмы для активации химических реакций.
Камерные установки плазменно-химического осаждения (PECVD) спроектированы на базе ваккумных камер из нержавеющей сталии и используются для покрытий подложек и образцов большого размера.
Технические характеристики:
| Модель |
CY-PECVD-500SQT-SS |
CY-PECVD-500T-SS |
CY-PECVD-240T-SS |
CY-PECVD-450T-SS |
| Изображение |
|
|
|
|
| Частота ВЧ источника генератора плазмы (МГц) |
13,56 |
| Мощность ВЧ источника генератора плазмы (Вт) |
300 |
500 |
| Максимальная температура держателя подложки (°C) |
400 |
1000 |
| Диаметр держателя подложки (мм) |
200 |
100 |
200 |
| Диапазон скорости вращения держателя подложки (об/мин) |
1 - 20 |
| Диапазон расстояния держателя подложки от сопла(мм) |
40 - 100 |
| Система подачи газа |
Канал A: поток H2 0-200 см3/мин
Канал B: поток CH 0-200 см3/мин
Канал C: поток C2H4 0-200 см3/мин
Канал D: поток N2 0-500 см3/мин
Канал E: поток NH3 0-500 см3/мин
Канал F: поток Ar 0-500 см3/мин |
Канал A: поток Ar 0-200 см3/мин
Канал B: поток O2 0-200 см3/мин
Канал C: поток N2 0-200 см3/мин
Канал D: Источник для жидкостей |