Установки плазменно-химического атомно-слоевого осаждения (PEALD) используюттся для нанесения ультратонких плёнок на поверхность подложек, с возможностью контроля толщины на атомном уровне.
Установки применяются в производстве полупроводниковых приборов, оптоэлектронных устройств, нанотехнологиях и других приложениях.
Технология PEALD позволяет проводить процесс осаждения при более низкой температуре по сравнению с технологией ALD за счёт использования генератора плазмы для активации химических реакций.
Технология атомно-слоевого осаждения АСО (ALD) базируется на последовательных химических реакциях между парами прекурсоров и поверхностью подложки.
Прекурсоры поочерёдно вступают в реакцию с поверхностью. В результате многократного влияния прекурсоров проихсодит рост тонкой плёнки.
Процесс АСО является соморегулирующимся процессом - количество осаждённого материала в каждом цикле реакции является постоянным.
Технические характеристики:
| Максимальные размеры образца (ШхГхВ, мм) |
150х150х6 |
| Диапазон регулирования температуры образца (°C) |
Комнатная - 400 |
| Режимы осаждения |
Непрерывный (Flow TM)
Импульсный (StopFlow TM) |
| Источники прекурсоров |
4 источника с регулируемой температурой (комнатная - 200°C)
1 источник с комнатной температурой |
| Система генерации озона |
Производительность 15 г/ч |
| Генератор плазмы |
Диапазон мощности 0-200 (Вт)
Время формирования плазмы 20 мс |
| Система подачи газа для генератора плазмы |
1 источник непрерывной подачи с контроллером потока
1 импульсный источник |