Установки атомно-слоевого осаждения (ALD) используюттся для нанесения ультратонких плёнок на поверхность подложек, с возможностью контроля толщины на атомном уровне.
Установки применяются в производстве полупроводниковых приборов, оптоэлектронных устройств, нанотехнологиях и других приложениях.
Технология атомно-слоевого осаждения (АСО) базируется на последовательных химических реакциях между парами прекурсоров и поверхностью подложки.
Прекурсоры поочерёдно вступают в реакцию с поверхностью. В результате многократного влияния прекурсоров проихсодит рост тонкой плёнки.
Процесс АСО является соморегулирующимся процессом - количество осаждённого материала в каждом цикле реакции является постоянным.
Технические характеристики:
| Максимальные размеры образца (ШхГхВ, мм) |
200х200х20 |
| Диапазон регулирования температуры образца (°C) |
Комнатная - 400 |
| Режимы осаждения |
Непрерывный (Flow TM)
Импульсный (StopFlow TM) |
| Источники прекурсоров |
4 источника с регулируемой температурой (комнатная - 200°C)
1 источник с комнатной температурой |
| Система генерации озона |
Производительность 15 г/ч |