Установки осаждения из газовой фазы (CVD)

Установки осаждения парилена (CVD)
Установки атомно-слоевого осаждения (ALD)
Установки плазменно-химического атомно-слоевого осаждения (PEALD)
Установки плазменно-химического осаждения (PECVD)
Установки гибридного плазменно-химического осаждения (PE-HPCVD)
Установки плазменно-химического осаждения с термокатодом (DCCVD)
Установки для выращивания алмазов (MPCVD, HFCVD))

Установка осаждения парилена (CVD)

Метод осаждения парилена в вакууме из газавой фазы (CVD) позволяет формировать тонкий беспористый слой с заданными свойствами, обеспечивающий защиту изделий от влаги, агрессивных сред и электрического пробоя. Данная технология применяется в медицине, электронике, приборостроении, аэрокосмической и других отраслях промышленности.

Установка атомно-слоевого осаждения (ALD)

Установки атомно-слоевого осаждения (ALD) используюттся для нанесения ультратонких плёнок на поверхность подложек, с возможностью контроля толщины на атомном уровне. Установки применяются в производстве полупроводниковых приборов, оптоэлектронных устройств, нанотехнологиях и других приложениях.

Установка плазменно-химического атомно-слоевого осаждения (PEALD)

Установки плазменно-химического атомно-слоевого осаждения (PEALD) используюттся для нанесения ультратонких плёнок на поверхность подложек, с возможностью контроля толщины на атомном уровне. Установки применяются в производстве полупроводниковых приборов, оптоэлектронных устройств, нанотехнологиях и других приложениях. Технология PEALD позволяет проводить процесс осаждения при более низкой температуре по сравнению с технологией ALD за счёт использования генератора плазмы для активации химических реакций.

Установки плазменно-химического осаждения (PECVD)

Установки осаждения из газовой фазы (CVD) применяются для получения плёнок на подложках, покрытий и материалов при осаждении паров прекурсоров на твёрдое вещество посредством химической реакции. Технология PECVD позволяет проводить процесс осаждения при более низкой температуре по сравнению с технологией CVD за счёт использования генератора плазмы для активации химических реакций.

Камерные установки плазменно-химического осаждения (PECVD)
Трубчатые установки плазменно-химического осаждения (PECVD)
Установки плазменно-химического осаждения (Roll-to-roll PECVD)

Установки гибридного плазменно-химического осаждения (PE-HPCVD)

Установки гибридного плазменно-химического осаждения (PE-HPCVD) спроектированы на базе трубчатых печей. Принцип действия установок заключается в переносе в зону нагрева потоком газа атомов реагента, испарившегося в интегрированном в рабочую трубу испарителе, для проведения реакции CVD. Генератор плазмы используется для активации химической реакции, что позволяет проводить процесс осаждения при более низкой температуре по сравнению с технологией CVD.

Установки плазменно-химического осаждения с горячим катодом (DCCVD)

DCCVD (Direct Current Chemical Vapor Deposition) — это разновидность метода химического осаждения CVD из газовой фазы с использованием постоянного тока и нагретого катода. Метод применяется для получения монокристаллических или поликристаллических алмазных плёнок.

Установки для выращивания алмазов

Установки микроволнового плазменно-химического осаждения (MPCVD)
Установки химического осаждения с горячей нитью (HFCVD)